Центр сопряженного мониторинга окружающей среды и природных ресурсов
«Мониторинг. Наука и технологии» Рецензируемый и реферируемый научно-технический журнал
Меню раздела «МНТ»
ГЛАВНАЯ
цели и задачи
Перечень ВАК
ВЫПУСКИ
2021
выпуск №1
выпуск №2
статья #01
статья #02
статья #03
статья #04
статья #05
статья #06
статья #07
статья #08
статья #09
статья #10
статья #11
статья #12
2020
2019
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
2010
2009
все выпуски
АВТОРАМ
этика
порядок рецензирования
правила для авторов
ПОДПИСКА
О ЖУРНАЛЕ
главный редактор
редакционный совет
редакционная коллегия
документы
свидетельство
issn
ENG
Меню разделов
ГЛАВНАЯ
Раздел: «ЦЕНТР»
Раздел: «МНТ»
Раздел: «СБОРНИК»
Раздел: «MST»

Кардашова Г.Д., Сафаралиев Г.К., Ризаханова С.У., Дибиргаджиев Д.Ш.
Материалы на основе твердых растворов карбида кремния с нитридом алюминия для экстремальной электроники: монокристаллы, эпитаксиальные пленки
Materials based on solid solutions of silicon carbide with aluminum nitride for extreme electronics: single crystals, epitaxial films
УДК:
538.975
Аннотация:
Соединения, образующиеся в системе SiC-AlN, отличаются от традиционных полупроводников большей стойкостью к механическому и радиационному воздействиям. В них путем изменения состава возможно в широких пределах управлять оптическими, электрическими и структурными свойствами. Поэтому исследования, направленные на изучение механизма формирования новых широкозонных полупроводниковых твердых растворов на основе SiC и AlN, а также зависимости электрических, оптических, механических свойств, структуры и морфологии от методов их получения, имеют важное практическое значение. В работе приведены результаты получения и исследования тонких пленок на основе твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x. Получение эпитаксиальных слоев этих материалов проводили методом магнетронного и ВЧ-магнетронного распыления. Полученные пленки (SiC)1-x(AlN)x исследовались рентгенодифракционным методом (XRD). Замечено, что в исследованных образцах структура твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x при составе x=0.21 имеет меньшую кристалличность, чем при составе х=0.64.
Ключевые
слова:
эпитаксиальные слои, карбид кремния, нитрид алюминия, тонкие пленки, монокристаллы
Abstracts:
The compounds formed in the SiC-AlN system differ from traditional semiconductors in their greater resistance to mechanical and radiation impacts. By changing their composition, one can control optical, electrical and structural properties over a wide range. Therefore, studying the mechanism of forming new wide-gap semiconductor solid solutions based on SiC and AlN, as well as investigation of dependence of electrical, optical, mechanical properties, structure and morphology on the methods of their production is of practical importance. The paper presents the results of the preparation and study of thin films based on solid solutions (SiC)1-x(AlN)x. The epitaxial layers of these materials were obtained by the method of magnetron and HF magnetron sputtering. The obtained films (SiC)1-x(AlN)x were studied by the X-ray diffraction method (XRD). It is shown that the structure of the solid solution (SiC)1-x(AlN)x with a composition x=0.21 has a lower crystallinity than with a composition x=0.64.
Keywords:
epitaxial layers, silicon carbide, aluminum nitride, thin films, single crystals

Текст статьи Текст статьи
763,6 кБ
Скачать

вернуться к списку статей

Авторы статьи:
КАРДАШОВА
Гюльнара Дарвиновна
gulya-ka11@yandex.ru
кандидат физико-математических наук, доцент, Дагестанский государственный университет
САФАРАЛИЕВ
Гаджимет Керимович
доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН, профессор, Дагестанский государственный университет
РИЗАХАНОВА
Сабина Уруджевна
аспирант, Дагестанский государственный технический университет
ДИБИРГАДЖИЕВ
Дибиргаджи Шамилович
аспирант, Дагестанский государственный технический университет
Список литературы:
1.
Билалов Б.А., Сафаралиев Г.К., Кардашова Г.Д., Азизова Г.А., Архипов А.В., Ахмедов Р.Р., Магомедова З.С., Магомедова Д.К. Механизмы роста и морфология эпитаксиальных пленок (SiC)1-x(AlN)x полученных методом магнетронного распыления // Международная молодежная научная конференция «Математическая физика и ее приложения» (МФП-2012). Пятигорск. 2012. Т. 4. С. 53-55.
2.
Нурмагомедов Ш.А., Сафаралиев Г.К., Пихтин А.Н., Разбегаев В.Н., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Получение и исследования эпитаксиальных слоев широкозонных твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x // Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. В. 17. С. 1043-1045.
3.
Захвалинский B.C., Пилюк Е.А., Иванчихин С.В., Погребняк М.А. Оптические свойства пленок SiC, SiC0. 7n0. 3, Si3N4 полученных методом магнетронного напыления // Прикладная математика & Физика. 2013. №26. 124.
4.
Fraga M.A., Bosi M., Negri M. Silicon Carbide in Microsystem Technology - Thin Film Versus Bulk Material. In Advanced Silicon Carbide Devices and Processing, 1st ed.; Saddow S., la Via F., Eds. In Tech: Rijeka. Croatia. 2015. Pp. 1-31.
5.
Maboudian R., Carraro C., Senesky D.G., Roper C.S. Advances in silicon carbide science and technology at the micro- and nanoscales. J. Vac. Sci. Technol. A 2013. 31. 050805.
6.
Ledermann N., Baborowski J., Muralt P., Xantopoulos N., Tellenbach J. Sputtered silicon carbide thin films as protective coating for MEMS applications. Surf. Coat. Technol. 2000. 125. Pp. 246-250.
7.
Fraga Massachusetts, Pessoa RS, Maciel HS, Massey M. Recent Developments of Silicon Carbide Thin Films for Piezoresistive Sensors. In silicon carbide - materials, processing and applications in electronic devices. Mukherjee M., Ed. In Tech: Rijeka. Croatia. 2011. Pp. 369-388.
8.
Gou L., Qi S., Ran J., Zheng K. SiC Film Deposition by DC Magnetron Sputtering. Thin hard film. 1999. 345. Pp. 42-44.
9.
Anders A. Pulsed magnetron sputtering and related discharges: scalable plasma sources for plasma ion implantation and deposition. Surf. Coat. Technol. 2010. 204. Pp. 2864-2868.
10.
Б.А.Билалов, Г.К.Сафаралиев, Г.Д.Кардашова, М.А.Гитикчиев, А.С.Ахмедов, Т.Э.Абдуллаев. Ионно-лучевое азотирование поверхности сапфира для формирования наноразмерных слоев нитрида алюминия // «Электровакуумная техника и технология». Труды международного постоянно-действующего семинара. Под редакцией руководителя Семинара А.В. Горина. М.: НОВЕЛЛА. 2018. С. 56-58.
 
МНТ Выпуски 2021 Выпуск №2 Статья #10
© ООО «ЦСМОСиПР», 2021
Все права защищены
Яндекс.Метрика
  +7(926) 067-59-67
  +7(963) 406-99-55