537.226?621.315.592

Методами индуцированной и равновесной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS<Ag> измерены сечения захвата электрона (s_tn) на быстрые фотоэлектрически активные ловушки, связанные с одно-, двух- и многоатомными центрами из междоузельных атомов Ag_i⁰. Впервые на примере CdS<Ag> в полупроводниках установлена зависимость сечения захвата электронов s_tn от энергии, выделяемой при их локализации. Сечения s_tn в соответствии с теорией безызлучательных переходов уменьшаются в широком интервале (10^-13-10^-17 см²) при росте глубины электронных центров Ag_i⁰(i≥1) от 0.2 до 1.4 эВ.

Sections of electron capture (s_tn) from the interstitial atoms of Ag_i⁰ on the rapid photo-electrically active traps related to one-, two- and polyatomic centers are measured by methods of induced and equilibrium admixture photoconductivity in the crystals of CdS<Ag>. First, in semiconductors on the example of CdS<Ag> it is found a dependence of section of electron capture stn on the energy generated at their localization. The sections stn according to the theory of radiationless transitions diminish in a wide interval 10^-13-10^-17 sm² when increasing the depth of electronic centers of Ag_i⁰ (i≥3) from 0.2 to 1.4 eV.

доктор физико-математических наук, профессор, ГБОУ ВПО Дагестанская государственная медицинская академия

старший научный сотрудник Института физики им. Х.И.Амирханова Дагестанского научного центра РАН

кандидат педагогических наук, доцент, ГБОУ ВПО Дагестанская государственная медицинская академия

Ризаханов М.А., Эмиров Ю.К., Габибов Ф.С., Хамидов М.М., Шейнкман М.К. Природа оранжевой люминесценции в кристаллах CdS // Физика и техника полупроводников, 1978, т. 12, №.7, с. 1342-1345.

Ризаханов М.А., Габибов Ф.С. Спектральные сдвиги полос индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS // Физика и техника полупроводников, 1979, т.13, №7, 1324-1328.

Ризаханов М.А., Зобов Е.М.. Неохлаждаемый примесный детектор ИК света среднего диапазона на основе неравновесно очувствленного CdS // Физика и техника полупроводников, 1980, т.14, №12, с 2407-2410.

Зобов Е.М., Гарягдуев Г.Г., Ризаханов М.А. Новые квазилинейчатые спектры индуцированной примесной фотопроводимости в CdS, обусловленные распределенными донор-донорными парами // Физика и техника полупроводников, 1987, т.21, №9, с.1637-1641.

Зобов Е.М., Ризаханов М.А. Инжекционное очувствление симметричных МПМ структур на основе CdSe в среднем диапазоне ИК света // Физика и техника полупроводников, 1989, т.23, №7, с. 1291-1293.

Ризаханов М.А., Хамидов М.М. Фотостимулированные явления нетепловой диффузии и ассоциации доноров в кристаллах ZnSe // Письма в ЖТФ, 1985, т.11,№9, с.561-567.

Габибов Ф.С. Глубокие электронные центры, обуславливающие равновесную фотопроводимость в CdSe в области hv>0.6 эВ. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. Тезисы докл. II научной конференции, Ашхабад. Ылым. 1991, с. 39-40.

Лошкарев В.Е., Любченко А.В., Шейнкман М.К. Неравновесные процессы в фотопроводниках, 1981, Киев, "Наукова думка", 285 с.

Ascarelli G., Rodriguez S., Recombination of electron and Donors in n-type Germanum // Phys.Rev., 1961, v.124, p.1321-1327.

Steydio J.M. Photoconductive d impurites dans le Sulfure de Cadmium dope Cu.- Ann. Soc. Sci., 1974, vol.88, №1, p. 357-380.