Багамадова А.М., Омаев А.К., Шахшаев Ш.О., Махмудов С.Ш.
Влияние подслоя и параметров осаждения на структурные свойства эпитаксиальных слоев ZnO, полученных на неориентированных подложках
Effect of sublayer and deposition parameters on the structural properties of epitaxial ZnO layers obtained on nonoriented substrates
| УДК: |
538.975.911 |
| Аннотация: |
Исследуется влияние тонкого промежуточного подслоя оксида цинка, осажденного методом магнетронного распыления (ММР-подслой) на ориентацию CVD пленок оксида цинка. Определены оптимальные ростовые параметры CVD процесса: влияние давления водорода и температуры подложки на ориентацию и физические свойства ориентированных CVD пленок оксида цинка. Показано, что введением тонкого ММР-подслоя можно получать совершенные эпитаксиальные слои ZnO на подложках любой природы (неориентированные, аморфные) с низкой себестоимостью, что привлекательно для промышленного производства. |
Ключевые
слова: |
эпитаксиальные слои, метод магнетронного распыления, оптимальные параметры, CVD процесс, подложка |
| Abstracts: |
The influence of a zinc oxide thin intermediate sublayer is investigated deposited by magnetron sputtering (MMP-sublayer) on orientation of CVD ZnO films. The optimal growth parameters of CVD process are determined: the effect of hydrogen pressure and substrate temperature on the orientation and physical properties of oriented CVD ZnO films. It is shown that the introduction of MMP-thin sublayer allows getting perfect ZnO epitaxial layers on substrates of any nature (non-oriented, amorphous) at low cost, which is attractive for industrial production. |
| Keywords: |
epitaxial layers, magnetron sputtering, optimal parameters, CVD process, substrate |
Авторы статьи:
БАГАМАДОВА
Асият Муртузалиевна
m_asyabag@mail.ru |
кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник Института Физики ДНЦ РАН |
ОМАЕВ
Ашуралав Кирамуттинович |
научный сотрудник Института Физики ДНЦ РАН |
ШАХШАЕВ
Шейхмагомед Омарович |
научный сотрудник Института Физики ДНЦ РАН |
МАХМУДОВ
Сослан Шамурадович |
научный сотрудник Института Физики ДНЦ РАН |
Список литературы:
| 1. |
Н.Н.Шефталь Рост кристаллов. Т.10,М.: «Наука», 1974. |
| 2. |
В.И.Клыков, Н.М.Гладков. Изв. АН Латв. ССР. Сер. физ. и техн. Наука.1985.№1,с.92. |
| 3. |
Shiosaki T.,S. Ohnishi, A. Kawabata J,Appl,Phys. 1979, vol.50, № 5, p. 3113. |
| 4. |
C.R.Aita, A.J.Purdes, R.J.Lad, P.D. Funkenbush. J. Appl. Phys. V.51, №10, 1980. |
| 5. |
I.M. Grankin, G.I Kalnaya., V.P. Pogrebnyak, V.K.Lopushenko. Ukrainski Physicheski Journal. V. 26(6) 1040 |
| 6. |
N.Fuimura, T.Nishihara, S.Goto, J.Xu, T.Ito. J. of Cryst. Growth 130,269. |
| 7. |
Б.М.Атаев., И.К.Камилов, А.М.Багамадова, В.В.Мамедов, С.Ш.Махмудов. ЖТФ, 1999, т.69, вып.11, с.138 - 140. |
| 8. |
Б.М.Атаев, И.К.Камилов, А.М.Багамадова, В.В.Мамедов, А.К.Омаев. Патент на изобретение № 2139596. |
| 9. |
Б.М.Атаев, А.М. Багамадова, В.В. Мамедов, С.Ш. Махмудов, А.К. Омаев. Кристаллография, 2002, 47, №6, с. 119-121. |
| 10. |
F.Kh.Abduev, A.K.Akhmedov, A.Sh.Asvarov, I.K.Kamilov, S.N.Siluanov NATO Science Series11: Mathematics, Physics and Chemistry 194, 15. |
|
|
