Исмаилова Н.П., Офицерова Н.В., Сафаралиев Г.К.
Моделирование электрофизических свойств гетероструктур n-SiC/p-(SiC)1-X(AlN)X
| УДК: |
538.911 |
| Аннотация: |
Предложена новая модель для интерпретации экспериментально полученных прямых ветвей ВАХ анизотипных полупроводниковых гетеропереходов. Согласно модели механизм токопереноса в гетеропереходах определяется поверхностными состояниями. В рамках предложенной модели можно оценить ширину нарушенной области, контактную разность потенциала в обоих полупроводниках и плотность состояний вблизи границы раздела и их влияние на ВАХ гетероструктур. |
Ключевые
слова: |
гетеропереход, поверхностные состояния, карбид кремния, механизм токопереноса |
| Abstracts: |
The new model for interpreting of experimental data for current - voltage characteristics (CVC) of anisotype semiconductor heterojunction is proposed. In accordance with this model the mechanism of current transfer in heterojunction is defined by surrface states. Using the model is possible to value the width of transition region, the contact potential and the density of the states near interface and the influence on CVC of heterojunctions. |
| Keywords: |
heterojunction, the surface conditions, carbide silicon, the mechanism of current transfer |
Авторы статьи:
ИСМАИЛОВА
Нупайсат Пахрудиновна
kalinof@mail.ru |
старший преподаватель кафедры экспериментальной физики физического факультета Даггосуниверситета |
ОФИЦЕРОВА
Наталья Васильевна |
кандидат физико-математических наук, доцент кафедры экспериментальной физики физического факультета Даггосуниверситета |
САФАРАЛИЕВ
Гаджимет Керимович |
доктор физико-математических наук, заведующий кафедрой экспериментальной физики физического факультета Даггосуниверситета |
Список литературы:
| 1. |
Felice R., Northrup J.E. Theory of the AlN/SiC (1010) interface.// Phys.Rev.B.-1997.- 56.-№15.- p.9213-92-16. |
| 2. |
Riben A.R., Feucht D.L. nGe-pGaAs heterojunction.// Solid-State Electronics.-1966.- v.9.-p.1055-1065. |
| 3. |
Anderson R.L. Diffusion mechanism of current transport over heterojunction. //Solid- States Electron.- 1962.- v.5.- p.341. |
| 4. |
Nettel S. Electron transport in semiconductors. // Phys.Rev.B.-1984.-v.30.-p.1019-1020. |
| 5. |
Tersoff J. Transport current over heterojunction. // Phys. Rev. B.- 1984.- v.30.- p.4847- 4849. |
| 6. |
Kronik L., Leibovitch M., Korobov V. and Shapira Y./ Electronic characterization of heterojunctions by surface potential monitoring.// J. Electronic materials.-1995.-v.24.-№7.- p.893-900. |
| 7. |
Сафаралиев Г.К., Офицерова Н.В., Исабекова Т.И., Магомедов А.Г., Курбанов М.К./ Рост и электрические свойства гетероэпитаксиальных слоев (SiC)1-x(AlN)x //В кн. «2-я междунар. конф. по высокотемпературной электронике», Альбукерк, США, 1996, т. 2, с. 251-256 |
| 8. |
Косолапова Т.Я., Свойства, получение и применение тугоплавких соединений. Справочник. М.:Наука, 1983. 375 с. |
| 9. |
Safaraliev G.K., Ismailova N.P., Tairov Yu.M. The energy diagram of heterojunction in system SiC - (SiC)1-x(AlN)x//Trans.Third International High Temperature Electronics Conference. USA. 1996. p.245. |
| 10. |
Karafyllidis.Y, Hagouel.P, Kriezis.E. Semiconductor heterojunctions: a rigorous new model. // Microelectronics Journal. 1990.- v.21.- №5.- p.41-57. |
| 11. |
Курбанов М. К., Билалов Б. А., Сафаралиев Г. К., Рамазанов Ш. М.. Влияние условий выращивания на свойства твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x при сублимационной эпитаксии. //Известия РАН. Неорганические материалы. 2007, том 43, № 12, с. 1-3. |
| 12. |
Курбанов М.К., Сафаралиев Г.К., Билалов Б.А., Гусейнов М.К. Получение твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x .// Письма в ЖТФ, Т.31. В.4 2005. с.13-16 |
| 13. |
Рамазанов Ш.М., Курбанов М.К., Билалов Б.А., Сафаралиев Г.К. Свойства пленок твердого раствора, полученных ионно-плазменным осаждением. // Тр.Всерос.Конф. «Нитриды галлия, индия, алюминия-свойства и приборы» 18-20 июня 2008 г. |
|
|
