Центр сопряженного мониторинга окружающей среды и природных ресурсов
«Мониторинг. Наука и технологии» Рецензируемый и реферируемый научно-технический журнал
Меню раздела «МНТ»
ГЛАВНАЯ
цели и задачи
Перечень ВАК
ВЫПУСКИ
2020
2019
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
выпуск №1
выпуск №2
выпуск №3
выпуск №4
статья #01
статья #02
статья #03
статья #04
статья #05
статья #06
статья #07
статья #08
статья #09
статья #10
статья #11
статья #12
2011
2010
2009
все выпуски
АВТОРАМ
этика
порядок рецензирования
правила для авторов
ПОДПИСКА
О ЖУРНАЛЕ
главный редактор
редакционный совет
редакционная коллегия
документы
свидетельство
issn
ENG
Меню разделов
ГЛАВНАЯ
Раздел: «ЦЕНТР»
Раздел: «МНТ»
Раздел: «СБОРНИК»
Раздел: «MST»

Гаджиалиев М.М., Пирмагомедов З.Ш., Эфендиева Т.Н.
Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия
Experimental determination of baric coefficient of the edge of conduction band for gallium arsenide
УДК:
621.315.52
Аннотация:
Исследована вольтамперная характеристика гетероструктуры n-GaAs-p-Ge при гидростатическом давлении до 8 ГПа при комнатной температуре. По результатам экспериментальных данных найдено, что барический коэффициент дна зоны проводимости арсенида галлия равен 120 мэВ/ГПа.
Ключевые
слова:
гидростатическое давление, барический коэффициент края зоны, гетероструктура, контактный потенциал
Abstracts:
The voltage-current characteristic of n-GaAs-p-Ge heterostructure is researched at the hydrostatic pressure up to 8 GP at room temperatures. According to the experimental data it is detected the baric coefficient of GaAs conduction band bottom is 120 meV/GPa.
Keywords:
hydrostatic pressure, baric coefficient of the band edge, heterostructur, contact potential

Текст статьи Текст статьи
1,1 МБ
Скачать

вернуться к списку статей

Авторы статьи:
ГАДЖИАЛИЕВ
Магомед Магомедович
доктор физико-математических наук, заведующий лабораторией «Физики полупроводников» Института физики ДНЦ РАН
ПИРМАГОМЕДОВ
Зияутдин Шахмурадович
научный сотрудник лаборатории «Физики полупроводников» Института физики ДНЦ РАН
ЭФЕНДИЕВА
Татьяна Насировна
научный сотрудник лаборатории «Физики полупроводников» Института физики ДНЦ РАН
Список литературы:
1.
Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.И. Корольков, Е.Л. Портной и Д.Н. Третьяков. ФТП, 4 (1), 167, (1970).
2.
Y. Kanda. Physics letters, 14,289 ( 1965).
3.
R.L. Anderson. Solid - State Electron, 5, 341 (1962).
4.
М.М. Гаджиалиев, З.Ш. Пирмагомедов, Т.Н. Эфендиева. ФТП, 44, 1222, (2010).
5.
М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов. ФТТ, 46, 1766, (2004).
 
МНТ Выпуски 2012 Выпуск №4 Статья #10
© ООО «ЦСМОСиПР», 2020
Все права защищены
Яндекс.Метрика
  +7(926) 067-59-67
  +7(963) 406-99-55