Гусейнов М.К., Темиров А.Т., Магомедов М.А., Курбанова А.М.
Исследование кристаллической структуры пленок растворов (SiC)1-x(AlN)x, выращенных методом магнетронного распыления
Investigation of the crystal structure of (SiC)1-x(AlN)x films grown by magnetron sputtering
| УДК: |
621.315.592 |
| Аннотация: |
Рентгенодифракционными исследованиями установлено, что пленки (SiC)1-x(AlN)x, полученные на подложках карбида кремния методом магнетронного распыления при температуре Т~1300К, являются монокристаллическими. По рентгеновским кривым качания показано, что структурное совершенство этих пленок при х≥0.3 сравнимо со структурным совершенством подложки карбида кремния.
По рентгеновским дифрактограммам рассчитан параметр решетки С монокристаллических пленок (SiC)1-x(AlN)x. Установлено, что с увеличением содержания AlN параметр С уменьшается по линейному закону. |
Ключевые
слова: |
карбид кремния, твердые растворы карбида кремния с нитридом алюминия (SiC)1-x(AlN)x, магнетронное осаждение пленок, кристаллическая структура твердых растворов |
| Abstracts: |
X-ray diffraction studies showed that (SiC)1-x(AlN)x films obtained on silicon carbide substrates by magnetron sputtering at a temperature T~1300 K are single-crystal ones. According to the X-ray rocking curves, it was shown that the structural perfection of these films at x≥0.3 is comparable with the structural perfection of a silicon carbide substrate.
Using the X-ray diffraction patterns, the lattice parameter was calculated for the single-crystal (SiC)1-x(AlN)x films. It was found that with an increase in AlN content, parameter С decreases with a linear law. |
| Keywords: |
silicon carbide, solid solutions of silicon carbide with aluminum nitride (SiC)1-x(AlN)x, magnetron sedimentation of films, single crystals |
Авторы статьи:
ГУСЕЙНОВ
Марат Керимханович
m_guseynov@mail.ru |
кандидат физико-математических наук, доцент кафедры физики ФГБОУ ВО «Дагестанский государственный технический университет» |
ТЕМИРОВ
Алибулат Темирбекович |
кандидат физико-математических наук, декан факультета радиоэлектроники, телекоммуникаций и мультимедийных технологий ФГБОУ ВО «Дагестанский государственный технический университет» |
МАГОМЕДОВ
Магомед Абакарович |
кандидат физико-математических наук, доцент, заведующий кафедрой биофизики, информатики и медаппаратуры, ФГБОУ ВО «ДГМУ Минздрава России» |
КУРБАНОВА
Анжелла Магомедовна |
кандидат физико-математических наук, доцент кафедры биофизики, информатики и медаппаратуры, ФГБОУ ВО «ДГМУ Минздрава России» |
Список литературы:
| 1. |
Гусейнов М.К., Курбанов М.К., Билалов Б.А., Сафаралиев Г.К. Магнетронное осаждение тонких пленок твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44. Вып. 6. С. 841-844. |
| 2. |
Дмитриев В.А., Ефимов И.Ю., Челноков В.Е., Чернов М.А. и др. Твердые растворы SiC-AlN, выращенных методом бесконтейнерной жидкофазной эпитаксии // Письма в ЖТФ. 1991. Т. 17. Вып. 6. С. 50-53. |
| 3. |
Сафаралиев Г.К., Офицерова Н.В., Курбанов М.К., Таиров Ю.М., Влияние параметров роста на электропроводность твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x // Изв. РАН. Неорганические материалы. 1995. Т. 6. С. 1-4. |
| 4. |
Cutler I.B., Miller P.D. Solid solution and process for production a solid solution. US pat. 4141740. Feb. 27. 1979. |
| 5. |
Rafaniello W., Cho K., Virkar A.V. Fabrication and chracterization of SiC-AlN alloys. J. Mater. Sci. 1981. V. 16. No. 12. Pp. 3470-3488. |
| 6. |
Ruh R. and Zangvil A. Composition and propetiesof hot-pressed SiC-AlN solid solutions. J. Am. Ceram. Soc. 1982. V. 65. No. 2. Pp. 260-265. |
| 7. |
Zangvil A., Ruh R. Phase relatiohoships in the silicon carbide-aluminum nitride system. J. Amer. Ceram. Soc. 1988. V. 71. No. 10. Pp. 884-890. |
| 8. |
Czekaj C.L., Hackeney M.L.J., Hurley W. J., Jr., Interrante L.V., Sidel G.A., Scheilds P.J., Slack G.A. Preparation of silicon carbide / aluminum nitride ceramics using organometallic precursors. J. Am. Ceram. Soc. 1990. V. 73. No. 2. Pp. 352-357. |
|
|
