Центр сопряженного мониторинга окружающей среды и природных ресурсов
«Мониторинг. Наука и технологии» Рецензируемый и реферируемый научно-технический журнал
Меню раздела «МНТ»
ГЛАВНАЯ
цели и задачи
Перечень ВАК
ВЫПУСКИ
2019
2018
2017
2016
выпуск №1
выпуск №2
статья #01
статья #02
статья #03
статья #04
статья #05
статья #06
статья #07
статья #08
статья #09
статья #10
статья #11
статья #12
статья #13
статья #14
статья #15
выпуск №3
выпуск №4
2015
2014
2013
2012
2011
2010
2009
все выпуски
АВТОРАМ
этика
порядок рецензирования
правила для авторов
ПОДПИСКА
О ЖУРНАЛЕ
главный редактор
редакционный совет
редакционная коллегия
документы
свидетельство
issn
ENG
Меню разделов
ГЛАВНАЯ
Раздел: «ЦЕНТР»
Раздел: «МНТ»
Раздел: «ЭЦП»
Раздел: «MST»

Алиев Р.А., Гаджиев Г.М., Гаджиалиев М.М., Исмаилов А.М., Пирмагомедов З.Ш.
Зарядовые свойства диэлектрика МДП структуры Сu-SiO2-p-InSb
Dielectric charge properties for MOS structure of Cu-SiO2-p-InSb
УДК:
538.956
Аннотация:
Измерены вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе InSb при разных частотах измерительного сигнала, с целью изучения влияния условий технологического синтеза на емкостные свойства данных структур. Обсуждается влияние положительного, встроенного в диэлектрик, заряда на измеренные характеристики образца, которое проявляется в виде резкого «переключения» емкости при смене полярности слабополевого внешнего воздействия (Е<106 V/cm).
Ключевые
слова:
Вольт-фарадная характеристика, МДП-структуры, оксид кремния, антимонид индия, заряд окисла, напряжение смещения, магнетронное распыление
Abstracts:
Capacitance-voltage characteristics of MOS structures based on InSb at different frequencies of the measuring signal have been measured with the aim of studying the influence of technological conditions of synthesis on the capacitive properties of these structures. The influence of the positive charge embedded in the dielectric on the measured characteristics of the sample is discussed. The influence manifests itself as a sharp capacity "switching" when changing the polarity of the external effect of low-field (E<106 V/cm).
Keywords:
Capacitance-voltage characteristics, MOS-structure, silicon oxide, the indium antimonide, the oxide charge, bias voltage, magnetron sputtering

Текст статьи Текст статьи
515,5 кБ
Скачать

вернуться к списку статей

Авторы статьи:
АЛИЕВ
Расул Абдурахманович
кандидат физико-математических наук, младший научный сотрудник Института физики Дагестанского научного центра РАН
ГАДЖИЕВ
Гаджи Магомедрасулович
кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник Института физики Дагестанского научного центра РАН
ГАДЖИАЛИЕВ
Магомед Магомедович
доктор физико-математических наук, главный научный сотрудник Института физики Дагестанского научного центра РАН
ИСМАИЛОВ
Абакар Магомедович
кандидат физико-математических наук, доцент, Дагестанский государственный университет
ПИРМАГОМЕДОВ
Зияутдин Шахмурадович
научный сотрудник Института физики Дагестанского научного центра РАН
Список литературы:
1.
Филачев А.М., Таубкин И.И., Тришенков М.А. Современное состояние и магистральные направления развития современной фотоэлектроники. М.: Физмат книга, 2010. 128 с.
2.
В.С.Вавилов, А.Ф.Плотников, В.Э.Шубин // ФТП, 1970. Т. 4. Вып. 3. С. 598-600.
3.
Ross E.C., Wallmark I.T. // RCH Rev. 1969. Vol. 30. P.366-381.
4.
Barbe D.F. // Proc IEEE. 1975. V.63. №1. P. 38-67.
5.
Schwierz F., Pezoldt J. and Granzner R. // Nanoscale. 2015. Vol.7. P. 8261-8283.
6.
Subash T.D., Gnanasekaran T. and Divya C. // Journal of Semiconductors. 2015. Vol. 36. No.1. P.014003.
7.
Uddin M.M., Liu H.W., Yang K.F. et al. // Appl. Phys. Lett. 2013. V. 103. P. 123502.
8.
Вайнер В.Г. МДП-структуры на основе антимонида индия в сильном электрическом поле. Канд. диссер. Новосибирск. 1984. с.237.
9.
Nakagava T., Fujisada H. // Appl. Phys. Lett. 1977. Vol. 31. №5. P. 348-350.
10.
Hofstein S.R., Zaininger K.H., Warfield G. // Proc. IEEE. 1964. V. 52. №8. P. 971-972.
11.
Fowler R.H., Nordheim L. // Proc. Roy. Soc., 1928. Vol. 119. №781. P. 173-181.
12.
Вавилов В.С., Плотников А.Ф., Шубин В.Э. // ФТП. 1971. Т. 5. Вып. 11. С. 2064-2069.
 
МНТ Выпуски 2016 Выпуск №2 Статья #12
© ООО «ЦСМОСиПР», 2020
Все права защищены
Яндекс.Метрика
  +7(926) 067-59-67
  +7(963) 406-99-55