Сафаралиев Г.К., Гираев М.А., Билалова З.О., Билалов Б.А., Кардашова Г.Д.
Импеданс спектроскопия межфазной границы карбид кремния / водный электролит
Impedance spectroscopy of interphase boundary silicium carbide / aqueous electrolyte
| УДК: |
539.217; 544.723 |
| Аннотация: |
Методом импеданс спектроскопии исследована межфазная граница гетеросистемы (SiC-6H)/Na2S2O8. Установлено, что частотная зависимость импеданса наблюдается в областях относительно низких и средних частот. Показано, что для анализа спектра импеданса нужно привлечь эквивалентные схемы с распределенными параметрами, связанными с сопротивлением и емкостью. |
Ключевые
слова: |
двойной электрический слой, карбида кремния, потенциал поляризации, электродного потенциала, параметр импеданса |
| Abstracts: |
The interphase boundary of heterosystem (SiC-6H)/Na2S2O8 is investigated by the method of impedance spectroscopy. It is established that the frequency dependence of the impedance is observed in areas of relatively low and medium frequencies. It is shown that the analysis of impedance spectrum needs to attract equivalent circuits with distributed parameters associated with resistance and capacitance. |
| Keywords: |
electric double layer, silicon carbide, polarization potential, electrode potential, the impedance parameter |
Авторы статьи:
САФАРАЛИЕВ
Гаджимет Керимович |
доктор физико-математических наук, член-кор. РАН, профессор кафедры экспериментальной физики, ДГУ |
ГИРАЕВ
Магомед Абдулаевич |
кандидат физико-математических наук, профессор кафедры общей физики ДГУ |
БИЛАЛОВА
Загра Омаржановна |
соискатель ДГУ |
БИЛАЛОВ
Билал Аругович
bil-bilal@yandex.ru |
доктор физико-математических наук, профессор кафедры микроэлектроники ДГТУ |
КАРДАШОВА
Гюльнара Дарвиновна
gulya-ka11@yandex.ru |
кандидат физико-математических наук, доцент кафедры экспериментальной физики ДГУ |
Список литературы:
| 1. |
Стойнов З.Б., Графов Б.М., Саввова-Стойнова Б., Елкин В.В. Электрохимический импеданс. М.: Наука. 1991. 336 с. |
| 2. |
Двойной слой и электродная кинетика. М.: Наука, 1981. 376 с. |
| 3. |
Коноров П.П., Яфясов А.М. Физика поверхности полупроводниковых электродов. СПб. Изд. С-Петербургского университета, 2003. 532 с. |
| 4. |
Dutoit E.C., Van Meirhaeghe R.L., Cardon F., Gomes W.P. // Ber. Bunseges. Phys. Chem. 1975. Bd.79. S. 1206. |
| 5. |
Oscam G., Vanmaekelberghe D. Kelly J.J. // J. Electroanal. Chem. 1991. V.315. P. 65. |
| 6. |
Ролдугин В.И. Физико-химия поверхности. Долгопрудный: «Интеллект». 2008. 568 с. |
| 7. |
Энергетические ресурсы сквозь призму фотохимии и катализа (сб. пер. статей под ред. Шилова А.Е., Замараева К.И.). М.: Мир, 1986. 632 с. |
| 8. |
Широкозонные полупроводники (сб. статей под ред. Сафаралиева Г.К.). Махачкала, Изд. Дагестанского университета, 1988. 170 с. |
| 9. |
Гуревич Ю.Я., Плесков Ю.Я. Фотоэлектрохимия полупроводников. М.: Наука. 1983. 312 с. |
| 10. |
Алтайский Ю.М., Литвинов Р.Н. Карбид кремния как материал современной оптоэлектроники и полупроводниковой техники (обзор). М.: ЦООНТИ "ЭКОС" 1984. 134 с. |
| 11. |
Гнеденко С.В., Синебрюхов С.Л., Сергиенко В.И. // Электрохимия. 2006. Т.42. С. 235. |
| 12. |
Schouler E., Kleitz M., Deportes C. // J. Chem. Phys. 1973. V. 70. P. 923. |
| 13. |
Мочалов С.Э., Колосницын В.С. и др. // Электрохимия. 1998. Т.34. С. 1327. |
| 14. |
Елкин В.В., Кротова М.Д., Плесков Ю.В. // Электрохимия. 2003. Т.39. С. 1053. |
|
|
