Центр сопряженного мониторинга окружающей среды и природных ресурсов
«Мониторинг. Наука и технологии» Рецензируемый и реферируемый научно-технический журнал
Меню раздела «МНТ»
ГЛАВНАЯ
цели и задачи
Перечень ВАК
ВЫПУСКИ
2019
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
2010
выпуск №1
статья #01
статья #02
статья #03
статья #04
статья #05
статья #06
статья #07
статья #08
статья #09
статья #10
статья #11
выпуск №2
выпуск №3
выпуск №4
2009
все выпуски
АВТОРАМ
этика
порядок рецензирования
правила для авторов
ПОДПИСКА
О ЖУРНАЛЕ
главный редактор
редакционный совет
редакционная коллегия
документы
свидетельство
issn
ENG
Меню разделов
ГЛАВНАЯ
Раздел: «ЦЕНТР»
Раздел: «МНТ»
Раздел: «ЭЦП»
Раздел: «MST»

Габибов Ф.С., Зобов Е.М.
Влияние условий фотовозбуждения на спектральные характеристики структур на основе GaAs
Influence of the conditions photoexcitation on spectral features of the structures on base GaAs
УДК:
621.315.592
Аннотация:
Исследовано влияние уровня собственного фотовозбуждения и режима охлаждения на спектры фотопроводимости при Т=90К в структурах на основе полуизолирующего GaAs с эпитаксиально наращенными слоями GaAs(S) (n=7x1015 см-3) (типа-I) и GaAs (NA=4x1015, ND=7x1015 см-3) (типа-II). Показано, что комбинированное фотовозбуждение приводит к очувствлению образцов (типа I) в области h?<0,76 эВ спектра фотопроводимости, обусловленное генерацией изолированных и участвующих в донорно-акцепторных парах донорных центров (Д0) вакансий VAs. Установлено, что рост фотопроводимости в этой области с ростом уровня возбуждения связан в основном с эффектом накопления возбужденных пар (Д00)0*. Выявлено, что изменение низкотемпературной граничной температуры Тгр интервалов экспозиции образцов GaAs (типа II) интегральным светом в процессе охлаждения до Т=90К приводит к последовательному изменению фоточувствительности по спектру. Предполагается, что наблюдаемый характер изменения Uфп~f(Тгр) связан с проявлением особенностей EL2 центров в условиях термооптического возбуждения исследуемых образцов.
Ключевые
слова:
фоточувствительность, центры с глубокими уровнями, вакансия, донорно-акцепторная пара, термооптический, метастабильный
Abstracts:
There is investigated an influence of stationery intrinsic photoexcitation level and cooling regime on the photoconductivity spectra at T=90 K in structures based on semiinsulating GaAs with epitaxially growth layers GaAs(S) (n=7x1015 cm-3) (I-type) and GaAs (NA=4x1015 cm-3, ND=7x1015 cm-3) (II-type). A combined photoexcitation is shown to lead activation of I type samples in a region of h?<0.76 eV of photoconductivity spectrum caused by generation of vacancies VAs isolated and participating in donor-acceptor pairs of donor centers (D0). A rise of the photoconductivity in this region with increasing of the excitation level is established to be connected with the accumulation effect of excited pairs (D0-A0)0*. A variation of the low-temperature boundary temperature Tгр of GaAs (II-type) exposition intervals by the integral light during a cooling up to T=90K to lead to successive change of spectrum photosusceptibility. Probably the change of Uфп~f(Tгр) is connected with display of EL2 centers peculiarities under conditions of thermooptical samples excitation.
Keywords:
photoconductivity, centers with deep levels, vacancy, donor-acceptor pair, thermooptical, metastabile

Текст статьи Текст статьи
920,0 кБ
Скачать

вернуться к списку статей

Авторы статьи:
ГАБИБОВ
Фазил Сейфулаевич
старший научный сотрудник Института физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН
ЗОБОВ
Евгений Маратович
zem_07@mail.ru
доктор физико-математических наук, главный ученый секретарь Дагестанского научного центра РАН
Список литературы:
1.
Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводника. Перевод с англ. Г. С. Пекаря под ред. М. К. Шейнкмана. ? М.: Мир, 1977. 562 с.
2.
Мастеров В. Ф., Саморуков Б. Глубокие центры в соединениях А3В5. // ФТП. 1978. Т.12. № 4. С.625?652.
3.
Гасанов Л. Г., Лаурс Е. П., Лисица М. П., Моцный Ф. В. Фотолюминесценция и ее исследование в полупроводниковом приборостроении.- Киев : АН УССР, 1987. 70 с.
4.
Рывкин С. М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. ? М.: Изд. физ-мат. лит-ра. 1963. 494 с.
5.
Вертопрахов В. И., Сальман Е. Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах. ? Новосибирск: Наука. 1979. 332 с.
6.
Лашкарев В. Е., Любченко А. В., Шейнкман М. К. Неравновесные процессы в фотопроводниках. ?Киев: Наук. думка, 1982. 364 с.
7.
Физика соединений А2В6. / Под ред. А. Н. Георгобиани и М. К. Шейнкмана. ? М.: Наука, 1986. 320 с.
8.
Сыноров В. Ф., Сысоев Б. И., Линник В. Д. Релаксационные методы исследования энергетического спектра локализованных состояний в полупроводниках./ ?Воронеж: ВГУ, 1982. ?180 с.
9.
Ризаханов М. А., Габибов Ф. C. Спектральные сдвиги полос индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS. // ФТП. 1979. Т.13. В.7. С.1324.
10.
Габибов Ф.С., Ризаханов М. А. Обратимые допороговые фототермические преобразования центров прилиания электронов в CdS:Ag. // Известия АН СССР. Серия физическая. 1985. Т. 49. № 4. С.801?805.
11.
Эмиров Ю.Н., Габибов Ф. С. Фотостимулированная генерация доноров в кристаллах CdS. // Неорг. материалы. 1992. Т.28. № 12. С.2361?2364.
12.
Ризаханов М. А., Хамидов М.М. Фотостимулированные явления нетепловой диффузиии ассоциации доноров в кристаллах Zn. // Письма в ЖТФ. 1985. Т.11. Вып.9. С.561?567.
13.
Hoon Young Cho, Eun Kyu Kim, and Suk-Ki Min. Photoquenching effect and thermal recovery process for midgap levels in GaAs: An EL2 family in GaAs.// Phys. Rev.B. 1989. V.39. № 14. P.10376-10379.
14.
Георгобиани А. Н., Тигиняну И. М. Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIВV. // ФТП. 1988. Т.22. Вып.1. С.3?15.
15.
Баграев Н. Т. EL2-центр в GaAs: Симметрия и метастабильность. // ЖЭТФ. Т. 100. Вып. 4(10). С.1378?1391.
16.
Manasreh M. O., Fischer D. W., Mitchel W. C. The EL2 Defect in GaAs: Some Recent Developments. // Phys. Stat. Sol. (b). 1989. V.154. 11. P.11-41.
17.
Vicent G., Bois D., Chantre A. Photoelectric memory effect in GaAs. // J. Appl. Phys. 1982. V.53, №5. P 3643- 3649.
18.
Пека Г. П., Бродовой В.А., Мишова М. И., Мирец Л. З. Фотоэлектрическая память в арсениде галлия, компенсированного кислородом. // ФТП. 1978. Т.12. №5. С.915
19.
Jimenez J., Hernandez P., De Soja J. A. Optical quenching of the near-intrinsic in semi- insulating bulk GaAs. // J. Appl. Phys. 1985. V.57.(12), 15. P. 5290-5294.
20.
Wagner J., Van Vechten J. A. Atomic model of the EL2 defect in GaAs.// Phys. Rev.B. 1987. V.35. P. 1330?1339.
21.
Габибов Ф. С., Бабаев А. А., Габибов С. Ф. Влияние перехода центров EL2 в метастабильное состояние на распределение стационарных спектров фотопроводимости в GaAs. // Оптика, оптоэлектроника и технологии. Труды междунар. конфер.-Ульяновск: Из-во УлГУ. 2001. С.125.
 
МНТ Выпуски 2010 Выпуск №1 Статья #11
© ООО «ЦСМОСиПР», 2020
Все права защищены
Яндекс.Метрика
  +7(926) 067-59-67
  +7(963) 406-99-55